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年产3000万颗深紫外LED芯片,中科潞安一期项目预计8月全部竣工验收

阅读次数: 添加时间:2020/04/08  作者:dgyadmin

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近日,山西中科潞安紫外光电项目,又传来了新进展。

据潞安集团官方消息,中科潞安紫外光电公司负责人表示,预计20208月底完成车间二楼封装中试线建设,一期3000万颗芯片生产线项目全部竣工验收,同时开展二期3亿颗项目的前期准备,争取下半年开工建设。

此外,中科潞安将进行氮化铝单晶生长和衬底技术研究、紫外LED应用产品开发、公共卫生安全杀菌消毒应用技术研究等一系列研发工作全力攻坚;完成紫外半导体光电产业投资基金设立,首期募资10亿元,推动长治光电产业集群建设。

中科潞安紫外项目于20184月启动,由长治市政府、中国科学院半导体研究所、潞安集团合作组建山西中科潞安半导体技术研究院,研究院主要开展芯片核心技术研发、封装技术研发与产业化、应用技术研发与工业设计、产品检验检测、行业标准制定等业务,并与政府相关部门共同组建紫外光电产业双创孵化基地。

据中科潞安官微2019年消息显示,中科潞安深紫外LED项目分两期建设,总投资约20亿元。其中,一期工程为年产3000万颗紫外LED芯片项目,投资5.4亿元;二期工程为年产2亿颗紫外LED芯片项目,投资15亿元。结合最新官方消息来看,其二期项目紫外LED芯片年产目标或进行提升。

 



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